FDN327N

MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
FDN327N P1
FDN327N P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDN327N

Número de pieza
FDN327N
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- FDN327N PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza FDN327N
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 423pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT-3
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Productos relacionados

Todos los productos