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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS0306AS

Número de pieza	FDMS0306AS
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	26A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3550pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 26A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6), Power56
Paquete / caja	8-PowerTDFN

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
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