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| Número de pieza | CXDM6053N TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 30V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-89 |
| Paquete / caja | TO-243AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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CXDM1002N TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 | - | 0 | Detalles |
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CXDM3069N TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 | - | 37000 | Detalles |
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CXDM4060N TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89 | - | 2000 | Detalles |
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CXDM4060P TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89 | - | 3000 | Detalles |
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CXDM6053N TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 | - | 13000 | Detalles |