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| Número de pieza | CTLDM8120-M621H BK |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 950mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.6W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TLM621H |
| Paquete / caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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CTLDM8002A-M621 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 50V DFN6 | - | 6110 | Detalles |
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