Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BAS21HMFHT116 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 200mA (DC) |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Tốc độ | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 50ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 100nA @ 200V |
| Điện dung @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SSD3 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | 150°C (Max) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS21 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | - | 72000 | Chi tiết |
|
BAS21 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | - | 1742332 | Chi tiết |
 |
BAS21,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | 21000 | Chi tiết | |
 |
BAS21,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS21-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS21-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 45000 | Chi tiết |
 |
BAS21-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 21000 | Chi tiết |
 |
BAS21-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS21-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS21-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS21-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAS21-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | Chi tiết |