FMP76-01T

MOSFET N/P-CH
FMP76-01T P1
FMP76-01T P1
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IXYS ~ FMP76-01T

Numéro d'article
FMP76-01T
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N/P-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FMP76-01T
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 54A (Tc), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V, 104nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V
Puissance - Max 89W, 132W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas ISOPLUSi5-Pak™
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS i4-PAC™

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