SI7309DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
SI7309DN-T1-GE3 P1
SI7309DN-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI7309DN-T1-GE3

Numéro d'article
SI7309DN-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SI7309DN-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SI7309DN-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 3.9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8

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